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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15574-5-ND
Cantidad disponible 2,820
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STU13N65M2

Descripción MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos ST(P,U)13N65M2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 590 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 430 mOhm a 5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-15574-5

23:50:45 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.65000 1.65
10 1.47900 14.79
100 1.18850 118.85
500 0.97650 488.25
1,000 0.80910 809.10

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