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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14834-5-ND
Cantidad disponible 62
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STP80N10F7

Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx80N10F7,STH80N10F7-2
Módulos de capacitación sobre el producto Low Voltage Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

STMicroelectronics

Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3100 pF a 50 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 40 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-14834-5
STP80N10F7-ND

05:27:49 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.39000 2.39
10 2.14700 21.47
100 1.72530 172.53
500 1.41750 708.75
1,000 1.17450 1,174.50

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