Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-10077-5-ND
Cantidad disponible 4,038
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STP21N65M5

Descripción MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 650V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx21N65M5
Otros documentos relacionados STP21N65M5 View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 50 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1950 pF a 100 V
Vgs (Max) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 8.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Kits
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-10077-5

12:57:23 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.57000 5.57
10 4.99800 49.98
100 4.09500 409.50
500 3.48600 1,743.00
1,000 2.94000 2,940.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario