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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-10963-5-ND
Cantidad disponible 442
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STP18N55M5

Descripción MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STB,D,F,P18N55M5
Otros documentos relacionados STP18N55M5 View All Specifications
Módulos de capacitación sobre el producto 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 550 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1260 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 192 mOhm a 8 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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  • Precio unitario 2.12000
  • DSP8-12A-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-10963-5

21:29:31 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.20000 3.20
10 2.87400 28.74
100 2.35460 235.46
500 2.00446 1,002.23
1,000 1.69050 1,690.50

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