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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13970-5-ND
Cantidad disponible 1,859
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STP10N60M2

Descripción MOSFET N-CH 600V TO-220
Descripción ampliada N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx10N60M2
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 400 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 85 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13970-5
STP10N60M2-ND

16:49:28 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.60000 1.60
10 1.43100 14.31
100 1.11550 111.55
500 0.92150 460.75
1,000 0.72750 727.50

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