Agregar a favoritos
  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13439-ND
Cantidad disponible 997
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STI34N65M5

Descripción MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STB,I,P,W34N65M5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ V
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF a 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 14 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13439

09:53:04 2/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1,000 2.91200 2,912.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario