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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13599-5-ND
Cantidad disponible 500
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STFI6N65K3

Descripción MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Descripción ampliada N-Channel 650V 5.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STx(x)6N65K3
Otros documentos relacionados STFI6N65K3 View All Specifications
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 880 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 Ohm a 2.7 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13599-5

05:09:41 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.97000 6.97
10 6.29800 62.98
100 5.21450 521.45
500 4.54072 2,270.36
1,000 3.95483 3,954.83

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