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  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13578-5-ND
Cantidad disponible 1,500
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STFI10N65K3

Descripción MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Descripción ampliada N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STx(x)10N65K3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH3™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1180 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1 Ohm a 3.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3 conductores formados, I²Pak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-13578-5

01:10:57 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1,500 1.51200 2,268.00

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