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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16014-5-ND
Cantidad disponible 1,969
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STF9HN65M2

Descripción MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
Descripción ampliada N-Channel 650V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STF9HN65M2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 20 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 820 mOhm a 2.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-16014-5

22:11:45 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.17000 1.17
10 1.04700 10.47
100 0.81650 81.65
500 0.67450 337.25
1,000 0.53250 532.50

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