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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15533-5-ND
Cantidad disponible 1,979
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STF18N65M2

Descripción MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Descripción ampliada N-Channel 650V 12A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STF18N65M2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 770 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 330 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-15533-5

19:36:13 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.04000 2.04
10 1.83400 18.34
100 1.47400 147.40
500 1.21100 605.50
1,000 1.00340 1,003.40

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