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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12557-5-ND
Cantidad disponible 1,213
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STD3NK80Z-1

Descripción MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STx3NK80Z(-1)
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 485 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 70 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 1.25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1

06:06:54 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 1.55
10 1.39100 13.91
100 1.11830 111.83
500 0.91876 459.38
1,000 0.76125 761.25

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