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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12783-5-ND
Cantidad disponible 3,507
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STD2HNK60Z-1

Descripción MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx2HNK60Z(x)
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1

23:37:21 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.18000 1.18
10 1.05300 10.53
100 0.82110 82.11
500 0.67830 339.15
1,000 0.53550 535.50

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