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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12782-5-ND
Cantidad disponible 2,947
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STD1NK60-1

Descripción MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STx1(H)NK60(-1,R)
Biblioteca de diseños de referencia STEVAL-ISB001V1: 1 Cell Charger using Discretes
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 156 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601

20:18:27 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.91000 0.91
10 0.81500 8.15
100 0.63510 63.51
500 0.52468 262.34
1,000 0.41423 414.23

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