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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-12542-5-ND
Cantidad disponible 2,414
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STB80NF55L-08-1

Descripción MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos ST(B,P)80NF55L-08(-1)
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Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie STripFET™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±16 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 40 A, 10 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081

17:51:04 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.07000 3.07
10 2.75600 27.56
100 2.25840 225.84
500 1.92252 961.26
1,000 1.62141 1,621.41

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