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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16196-5-ND
Cantidad disponible 976
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STB80NF55-06-1

Descripción MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos ST(B,P)80NF55-06(-1,FP)
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Módulos de capacitación sobre el producto Automotive Grade Transistors and Discretes
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

STMicroelectronics

Serie STripFET™ II
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.5 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 189 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4400 pF a 25 V
Potencia máxima 300 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND

16:36:22 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.06000 3.06
10 2.74900 27.49
100 2.25230 225.23
500 1.91730 958.65
1,000 1.61700 1,617.00

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