• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-7000-6-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STB14NM65N

Descripción MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STx14NM65N
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ II
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 497-7000-6

22:03:21 1/21/2017

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 497-7000-2-ND
  • Cantidad mínima: 1,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 1,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 2.57320
  • Cinta cortada (CT) ? : 497-7000-1-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 696 - Inmediata
  • Precio unitario: 5.02000
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