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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-14960-ND
Cantidad disponible 162
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT30N120

Descripción MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT30N120
Power Management Guide
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Módulos de capacitación sobre el producto Silicon Carbide MOSFET
Producto destacado SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

STMicroelectronics

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 20 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6 V a 1 mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 105 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1700 pF a 400 V
Potencia máxima 270 W
Temperatura de operación -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-14960

16:23:05 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 26.83000 26.83
10 24.74200 247.42
100 21.12800 2,112.80
500 19.18200 9,591.00

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