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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT3120ALGC11-ND
Cantidad disponible 710
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT3120ALGC11

Descripción MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Descripción ampliada N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT3120AL
Módulos de capacitación sobre el producto SiC MOSFETs
Producto destacado 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.6 V a 3.33 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 460 pF a 500 V
Vgs (máx.) +22 V, -4 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 103 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 6.7 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

09:22:29 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.63000 7.63
10 6.86300 68.63
25 6.25240 156.31
100 5.64250 564.25
250 5.18500 1,296.25
500 4.72750 2,363.75
1,000 4.11750 4,117.50
2,500 3.96500 9,912.50

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