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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT3120ALGC11-ND
Cantidad disponible 252
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT3120ALGC11

Descripción MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT3120AL
Producto destacado 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 6.7 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.6 V a 3.33 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 38 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 460 pF a 500 V
Potencia máxima 103 W
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

22:18:38 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.89000 5.89

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