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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT3030KLGC11-ND
Cantidad disponible 1,026
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT3030KLGC11

Descripción MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT3030KL
Módulos de capacitación sobre el producto SiC MOSFETs
Producto destacado 3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
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Categories
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 72 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.6 V a 13.3 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 131 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2222 pF a 800 V
Vgs (Max) +22 V, -4 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 339W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 39 mOhm a 27 A, 18 V
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

07:38:15 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 44.22000 44.22

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