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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SCT2120AFC-ND
Cantidad disponible 987
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SCT2120AFC

Descripción MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SCT2120AF Datasheet
Notas de aplicación SiC Power Devices and Modules
Archivo de video ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 10 A, 18 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 61 nC a 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1200 pF a 500 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

14:56:52 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.07000 9.07
100 8.34300 834.30

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