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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key R6030ENZ1C9-ND
Cantidad disponible 298
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

R6030ENZ1C9

Descripción MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Descripción ampliada N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos R6030ENZ1
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Categories
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 85 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2100 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 130 mOhm a 14.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 450

16:26:05 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.63000 5.63
10 5.02500 50.25
25 4.52240 113.06
100 4.12050 412.05
250 3.71852 929.63
500 3.33660 1,668.30
1,000 2.81400 2,814.00
2,500 2.67330 6,683.25

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