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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key R6010ANX-ND
Cantidad disponible 531
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

R6010ANX

Descripción MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Descripción ampliada N-Channel 600V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos R6010ANX
Producto destacado MOSFET ECOMOS
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) según Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds -
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C -
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

22:08:48 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.33000 3.33
10 2.97500 29.75
25 2.67760 66.94
100 2.43950 243.95
250 2.20152 550.38
500 1.97540 987.70
1,000 1.66600 1,666.00
2,500 1.58270 3,956.75
5,000 1.52320 7,616.00

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