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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSM300D12P2E001-ND
Cantidad disponible 55
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSM300D12P2E001

Descripción MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BSM300D12P2E001
Archivo de video ROHM Semi 2 N-Channel MOSFET | Digi-Key Daily
Producto destacado BSM300D12P2E001 SiC Power Module
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C -
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 68 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 35000 pF a 10 V
Potencia máxima 1875 W
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 4

06:11:20 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 598.43000 598.43
10 580.43600 5,804.36
100 557.93800 55,793.80
500 539.94000 269,970.00

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