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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BSM180D12P2C101-ND
Cantidad disponible 34
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BSM180D12P2C101

Descripción MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101
Módulos de capacitación sobre el producto SiC Power Module
Producto destacado Full-SiC Half-Bridge Power Modules
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Categorías
Fabricante

Rohm Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C -
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 35.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23000 pF a 10 V
Potencia máxima 1130 W
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 12

05:18:48 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 395.43000 395.43
10 380.78300 3,807.83
25 374.92480 9,373.12

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