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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key NDD04N60Z-1GOS-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

NDD04N60Z-1G

Descripción MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos NDx04N60Z
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 640 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 2 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G

21:46:58 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.87000 0.87
10 0.76900 7.69
100 0.58970 58.97
500 0.46620 233.10
1,000 0.37296 372.96

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