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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SK3666-2-TB-EOSTR-ND
Cantidad disponible 3,000
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 27,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2SK3666-2-TB-E

Descripción JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos 2SK3666
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - JFET

Fabricante

ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) -
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) 600 µA a 10 V
Consumo de corriente (Id) - Máximo 10 mA
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id 180 mV a 1 µA
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4 pF a 10 V
Resistencia - RDS (activado) 200 Ohm
Potencia máxima 200 mW
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor 3-CP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres 2SK3666-2-TB-E-ND
2SK3666-2-TB-EOSTR

17:18:56 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
3,000 0.08740 262.20
6,000 0.07866 471.96
15,000 0.06992 1,048.80
30,000 0.06555 1,966.50
75,000 0.05812 4,359.08
150,000 0.05594 8,390.40

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