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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SK3666-2-TB-EOSCT-ND
Cantidad disponible 8,960
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 27,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2SK3666-2-TB-E

Descripción JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos 2SK3666
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - JFET

Fabricante

ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Voltaje - Ruptura (V(BR)GSS) -
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0) 600 µA a 10 V
Consumo de corriente (Id) - Máximo 10 mA
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id 180 mV a 1 µA
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4 pF a 10 V
Resistencia - RDS (activado) 200 Ohm
Potencia máxima 200 mW
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor 3-CP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2SK3666-2-TB-EOSCT

13:17:27 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.36000 0.36
10 0.27500 2.75
100 0.17100 17.10
500 0.11702 58.51
1,000 0.09002 90.02

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