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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-6714-5-ND
Cantidad disponible 4,316
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN5R0-100ES,127

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN5R0-100ES
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 9900 pF a 50 V
Potencia máxima 338 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-6714
568-6714-5
568-6714-ND
934065165127

02:41:11 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.71300 27.13
100 2.22300 222.30
500 1.89240 946.20
1,000 1.59600 1,596.00

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