Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-4896-5-ND
Cantidad disponible 2,329
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN4R4-80PS,127

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 80V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN4R4-80PS
Producto destacado TO220 with Trench 6 MOSFETs
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 125 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8400 pF a 40 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 306 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1 mOhm a 15 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-4896-5
934063914127

00:52:11 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.78000 2.78
10 2.49400 24.94
100 2.00430 200.43
500 1.64676 823.38
1,000 1.36445 1,364.45

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario