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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-10288-5-ND
Cantidad disponible 3,808
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN3R9-60PSQ

Descripción MOSFET N-CH 60V SOT78
Descripción ampliada N-Channel 60V 130A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN3R9-60PS
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 29/Jul/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Nexperia USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 103 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5600 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 263 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.9 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-10288-5
934067464127
PSMN3R9-60PSQ-ND

11:12:37 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.08000 2.08
10 1.86400 18.64
100 1.49850 149.85
500 1.23112 615.56
1,000 1.02008 1,020.08

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