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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-4974-5-ND
Cantidad disponible 8,607
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN3R0-60PS,127

Descripción MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN3R0-60PS
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8079 pF a 30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-4974-5
934064275127
PSMN3R060PS127

07:04:56 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.55000 2.55
10 2.29400 22.94
100 1.84370 184.37
500 1.51480 757.40
1,000 1.25512 1,255.12

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