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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-6906-5-ND
Cantidad disponible 4,869
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN3R0-60ES,127

Descripción MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN3R0-60ES
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Nexperia USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8079 pF a 30 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 306 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-6906-5
934064562127
PSMN3R060ES127

23:56:09 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.04000 2.04
10 1.83000 18.30
100 1.47100 147.10
500 1.20856 604.28
1,000 1.00137 1,001.37

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