Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-5281-ND
Cantidad disponible 1,904
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN2R0-60ES,127

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 60V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN2R0-60ES
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Nexperia USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 137 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9997 pF a 30 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 338 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1727-5281
568-6709
568-6709-5
568-6709-5-ND
568-6709-ND
934065162127

08:32:34 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.71300 27.13
100 2.22300 222.30
500 1.89240 946.20
1,000 1.59600 1,596.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario