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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-5234-5-ND
Cantidad disponible 12,826
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN1R8-30PL,127

Descripción MOSFET N-CH 30V TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN1R8-30PL
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.15 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 10180 pF a 12 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-5234
568-5234-5
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127

22:29:20 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.22000 2.22
10 1.99500 19.95
100 1.60350 160.35
500 1.31740 658.70
1,000 1.09156 1,091.56

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