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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-6719-5-ND
Cantidad disponible 1,035
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN1R1-30PL,127

Descripción MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN1R1-30PL
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 243 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 14850 pF a 15 V
Potencia máxima 338 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-6719
568-6719-5
568-6719-ND
934065166127
PSMN1R130PL127

15:01:33 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.83000 2.83
10 2.54100 25.41
100 2.08220 208.22
500 1.77254 886.27
1,000 1.49492 1,494.92

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