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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1727-5287-ND
Cantidad disponible 4,955
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN1R1-30EL,127

Descripción MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 30V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN1R1-30EL
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Label Chg 12/Mar/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Nexperia USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 243 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14850 pF a 15 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 338 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1727-5287
568-6715
568-6715-5
568-6715-5-ND
568-6715-ND
934065159127

21:34:24 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.53000 2.53
10 2.27400 22.74
100 1.82770 182.77
500 1.50160 750.80
1,000 1.24419 1,244.19

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