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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-6715-5-ND
Cantidad disponible 4,957
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN1R1-30EL,127

Descripción MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN1R1-30EL
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 243 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 14850 pF a 15 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-6715
568-6715-5
568-6715-ND
934065159127

17:06:43 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.41000 2.41
10 2.16600 21.66
100 1.74060 174.06
500 1.43010 715.05
1,000 1.18494 1,184.94

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