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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-5771-5-ND
Cantidad disponible 1,913
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PSMN015-100P,127

Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PSMN015-100P
Diseño/especificación de PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Nexperia USA Inc.

Serie TrenchMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4900 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-5771
568-5771-5
568-5771-ND
934055640127
PSMN015-100P
PSMN015-100P,127-ND
PSMN015-100P-ND

21:23:21 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.86000 1.86
10 1.67000 16.70
100 1.34190 134.19
500 1.10250 551.25
1,000 0.91350 913.50

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