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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-5754-5-ND
Cantidad disponible 1,023
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

PHP18NQ10T,127

Descripción MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos PHB,PHD,PHP18NQ10T
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie TrenchMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 21 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 633 pF a 25 V
Potencia máxima 79 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-5754
568-5754-5
568-5754-ND
934055698127
PHP18NQ10T
PHP18NQ10T,127-ND
PHP18NQ10T-ND
PHP18NQ10T127

14:58:26 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.91000 0.91
10 0.80300 8.03
100 0.61530 61.53
500 0.48640 243.20
1,000 0.38912 389.12

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