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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-5732-5-ND
Cantidad disponible 1,553
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BUK9E08-55B,127

Descripción MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Descripción ampliada N-Channel 55V 75A (Tc) 203W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BUK9E08-55B
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

NXP USA Inc.

Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5280 pF a 25 V
Vgs (Max) ±15 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 203 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-5732
568-5732-5
568-5732-ND
934057717127
BUK9E08-55B,127-ND
BUK9E0855B127

21:13:20 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.47000 1.47
10 1.31700 13.17
100 1.02670 102.67
500 0.84816 424.08
1,000 0.66960 669.60

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