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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-9853-5-ND
Cantidad disponible 2,990
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BUK7E3R5-60E,127

Descripción MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BUK7E3R5-60E
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 114 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8920 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-9853-5
934066632127
BUK7E3R560E127

22:12:07 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.22000 2.22
10 1.99300 19.93
100 1.60180 160.18
500 1.31600 658.00
1,000 1.09040 1,090.40

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