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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 568-10286-5-ND
Cantidad disponible 1,280
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BUK7E1R9-40E,127

Descripción MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos BUK7E1R9-40E
Embalaje de PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

NXP USA Inc.

Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.9 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 118 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 9700 pF a 25 V
Potencia máxima 324W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 568-10286
568-10286-5
568-10286-ND
934066982127
BUK7E1R9-40E,127-ND

18:52:46 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.45000 2.45
10 2.20300 22.03
100 1.77110 177.11
500 1.45512 727.56
1,000 1.20568 1,205.68

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