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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APTM100H45SCTG-ND
Cantidad disponible 28
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APTM100H45SCTG

Descripción MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Descripción ampliada Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos APTM100H45SCTG
Power Products Catalog
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Categorías
Fabricante

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 7®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 4 canales N (puente H)
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 154 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4350 pF a 25 V
Potencia máxima 357 W
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SP4
Paquete del dispositivo del proveedor SP4
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

11:48:36 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 179.78000 179.78
10 171.10300 1,711.03
25 164.90360 4,122.59

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