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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APTM100A13SG-ND
Cantidad disponible 54
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APTM100A13SG

Descripción MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos APTM100A13SG
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Fabricante

Microsemi Corporation

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 32.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 6 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 562 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 15200 pF a 25 V
Potencia máxima 1250 W
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SP6
Paquete del dispositivo del proveedor SP6
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APTM100A13SGMI
APTM100A13SGMI-ND

22:54:33 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 233.92000 233.92
10 222.63200 2,226.32
50 214.56540 10,728.27
100 209.72550 20,972.55
250 206.49896 51,624.74
500 201.65912 100,829.56
1,000 193.59276 193,592.76

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