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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APT7F120B-ND
Cantidad disponible 143
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APT7F120B

Descripción MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 7A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos APT7F120(B,S)
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Microsemi Corporation

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2565 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 335 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.9 Ohm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 [B]
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND

11:36:34 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.12000 7.12
10 6.40800 64.08
25 5.83880 145.97
100 5.26920 526.92
250 4.84196 1,210.49
500 4.41472 2,207.36
1,000 3.84507 3,845.07
2,500 3.70266 9,256.65

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