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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APT65GP60B2G-ND
Cantidad disponible 119
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APT65GP60B2G

Descripción IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos APT65GP60B2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - IGBT - Simple

Fabricante

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 7®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo IGBT PT
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 600 V
Corriente de colector (Ic) máx. 100 A
Corriente - colector impulsado (Icm) 250 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.7 V a 15 V, 65 A
Potencia máxima 833 W
Energía de conmutación 605 µJ (Encendido), 896 µJ (Apagado)
Tipo de entrada Estándar
Carga de compuerta 210 nC
Td (encendido/apagado) a 25°C 30 ns/91 ns
Condiciones de prueba 400 V, 65 A, 5 Ohm, 15 V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3 variante
Paquete del dispositivo del proveedor *
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1

08:59:11 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 20.18000 20.18
10 18.34200 183.42
25 16.96600 424.15
100 15.59040 1,559.04
250 14.21476 3,553.69
500 13.29766 6,648.83

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