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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key APT28M120B2-ND
Cantidad disponible 353
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

APT28M120B2

Descripción MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos APT28M120(B2,L)
Power Products Catalog
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Microsemi Corporation

Serie POWER MOS 8™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 300 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9670 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1135 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 560 mOhm a 14 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3 variante
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND

16:39:15 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 22.68000 22.68
10 20.98300 209.83
25 19.28200 482.05
100 17.92080 1,792.08
250 16.44632 4,111.58
500 15.65238 7,826.19

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