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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTR102N65X2-ND
Cantidad disponible 120
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTR102N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Descripción ampliada N-Channel 650V 54A (Tc) 330W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXTR102N65X2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 54 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10900 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 51 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS247™
Paquete / Caja (carcasa) ISOPLUS247™
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 632316

18:03:59 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 15.71000 15.71
10 14.28000 142.80
25 13.20920 330.23
100 12.13800 1,213.80
250 11.06700 2,766.75

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