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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTQ180N10T-ND
Cantidad disponible 119
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTQ180N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)180N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 151 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6900 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 480 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.4 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

23:13:56 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.56000 4.56
10 4.06900 40.69
25 3.66200 91.55
100 3.33640 333.64
250 3.01088 752.72
500 2.70166 1,350.83
1,000 2.27850 2,278.50

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