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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTQ130N10T-ND
Cantidad disponible 281
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTQ130N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)130N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.1 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 104 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5080 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

00:33:27 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.70000 27.00
25 2.43000 60.75
100 2.21400 221.40
250 1.99800 499.50
500 1.79280 896.40
1,000 1.51200 1,512.00
2,500 1.43640 3,591.00
5,000 1.38240 6,912.00

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