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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTQ130N10T-ND
Cantidad disponible 221
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTQ130N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)130N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5080 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.1 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

05:19:08 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.18000 3.18
10 2.83500 28.35
25 2.55160 63.79
100 2.32470 232.47
250 2.09792 524.48
500 1.88244 941.22
1,000 1.58760 1,587.60
2,500 1.50822 3,770.55

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