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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP80N10T-ND
Cantidad disponible 914
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP80N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)80N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3040 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14 mOhm a 25 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

12:27:28 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.57000 2.57
10 2.32400 23.24
25 2.07520 51.88
100 1.86750 186.75
250 1.66000 415.00
500 1.45250 726.25
1,000 1.20350 1,203.50
2,500 1.12050 2,801.25
5,000 1.07900 5,395.00

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